Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, China;
optical anisotropy; quantum wells; interface roughness; reflectance difference spectroscopy; segregation;
机译:GaAsN / GaAs单量子阱中的面内光学各向异性通过反射差光谱法研究
机译:用反射率差光谱法研究(001)GaAs / AIGaAs量子阱中非对称δ掺杂引起的面内光学各向异性
机译:用反射率差光谱法研究(001)GaAs / AlGaAs超晶格中的应变诱导面内光学各向异性
机译:反射-差光谱法研究量子阱的界面相关面内光学各向异性
机译:通过激子Aharonov-Bohm效应和偏振光谱研究了II型ZnTe / ZnSe亚单层量子点的性质。
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:用反射率差光谱法研究(001)GaAs / AlGaAs量子阱中非对称δ掺杂引起的面内光学各向异性