Semiconductor RD, Samsung Electronics Co., LTD., Yongin-City, Gyeonggi-Do, Korea 449-711;
assist-feature; model-based OPC; depth-of-focus; lithography;
机译:单个纳米线的电触点:一种可扩展的方法,允许在芯片上使用多个设备。应用于单个纳米线径向p-i-n结
机译:超薄多Si层:钝化质量,在氧化物细胞上在丝网印刷双面接触多晶Si上产生的电荷载体的利用率
机译:扩展的漏极电流电导提取方法及其在DRAM支持和阵列设备中的应用
机译:一种用于在全芯片尺度中产生辅助功能的方法及其应用于与子70nm DRAM设备的接触层
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:单个纳米线的电触点:可伸缩方法,允许芯片上的多个设备。应用于单个纳米线径向P-I-N结
机译:碳化硅中掺杂层,触点和相关电子器件的持续发展和表征