System LSI Division, Samsung Electronics Co., Ltd. San #24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City, Gyeonggi-Do, KOREA 449-711;
sub-resolution assist feature; SRAF; main feature; gate CD control; CD uniformity; printability; mask topography; RCWA simulation;
机译:使用纳米球剥离光刻技术对亚微米级50纳米特征尺寸的垂直对准3D GaN纳米线阵列进行纳米加工。
机译:亚微米特征尺寸小于50 nm的多孔玻璃中的飞秒激光纳米结构
机译:使用正性分子玻璃抗蚀剂进行EUV光刻的亚50纳米特征尺寸
机译:子分辨率辅助功能的大小容差为子-50-nm节点设备
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:上下文中的辅助设备:家庭环境中的挑战与移动辅助设备的使用之间的跨部门关联
机译:使用纳米灯剥离光刻具有亚级NM特征尺寸的垂直对准3D GaN纳米线阵列的纳米纸张