Institut d''Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, CNRS, Bât. 220, F-91405 Orsay, France;
机译:一种紧凑且低驱动 - 电压硅电吸收器,利用肖特基二极管在C波段中操作高达13.2 GHz
机译:InGaAsP / InGaAsP多量子阱调制器在200 GHz范围内具有更高的饱和强度和带宽
机译:带宽超过20 GHz的高速InGaAlAs / InAlAs多量子阱电光相位调制器
机译:具有23 GHz带宽的高消光比,低能量Ge量子阱电吸收调制器
机译:外围耦合波导多量子阱电吸收调制器,可实现高效率,高无杂散动态范围和高频RF光纤链路。
机译:具有高调制效率和超宽带的基于混合石墨烯-硅的极化不敏感电吸收调制器
机译:光子晶体波导电吸收调制器上的双层石墨烯,具有12 GHz带宽