Department of Electronic and Electrical Engineering University College London WC1E 7JE United Kingdom|c|;
1300 nm laser diodes; III–; V/Si integration; Quantum dots; Silicon photonics; molecular beam epitaxy;
机译:硅衬底上III-V量子点激光器外延生长的最新进展
机译:硅锗锗激光器:锗激光器可能有助于光子与硅的集成
机译:用于芯片上光互连应用的硅波导中锗和锗/硅锗锗量子阱的选择性区域生长
机译:III-V量子点激光生长硅和锗
机译:高度集成的锗光电探测器和III-V混合激光器,用于硅光子应用
机译:用于垂直晶体管应用的磷掺杂硅/硅锗多层结构的生长和选择性蚀刻
机译:用于片上光学互连应用的硅波导中的锗和锗/硅锗量子孔的选择性区域生长