William Hansen Hall Department of Electrical Computer Engineering, University of Louisiana at Lafayette, 131 Rex Street, Lafayette, LA, USA 70504-3890;
MOSFET noise; CMOS noise; thermal noise; induced gate noise; gate resistance noise; substrate resistance noise; hot-carrier noise; excess channel noise; wireless circuits and systems; optical circuits and systems;
机译:了解碰撞电离状态下的InAlAs / InGaAs / InP高电子迁移率晶体管中的多余沟道噪声
机译:物理上理解纳米系统中具有沟道长度的体nMOSFET的RF噪声
机译:准双栅极机制可提高模拟和睡眠晶体管应用中的UTBB SOI MOSFET性能
机译:对GIGA钻头制度中无线和光文应用的MOS晶体管噪声性能的物理理解
机译:用于无线数据通信的场效应晶体管噪声模型分析和低噪声放大器设计。
机译:用于生物电子应用的CMOS集成低噪声结型场效应晶体管
机译:来自局部放电的脉冲噪声对无线系统性能的影响:应用于MIMO预编码器
机译:低噪声光学预放大光波接收器和光纤参量放大器的其他应用