Department of Electrical and Computer Engineering Ben-Gurion University POB 653 Beer-Sheba 84105 Israel;
机译:陶瓷锰矿中低温电阻率最小值的性质
机译:La_(0.7-x)Pr_xBa_(0.3)MnO_3(x = 0、0.1和0.2)锰矿的电输运研究:双金属绝缘体转变和最低低温电阻率
机译:偏压依赖的锰镧薄膜中的晶间隧穿
机译:陶瓷和单晶钙钛矿中的低温电阻率最小值:晶体隧穿与散装库仑相互作用效果
机译:Coulomb封锁在电阻隔离的隧道结
机译:陶瓷锰氧化物中低温电阻率最小的性质
机译:铁磁钙钛矿锰铁矿和亚铁磁铁矿外延膜中半金属的隧穿证据