EME, Dept. Electronica, Universitat de Barcelona, Marti i Franques 1, 08028 Barcelona, Spain;
机译:PECVD沉积用于SiCOI异质结制造的Si1-xCx:H薄膜的特性
机译:PECVD沉积Si1-xCx:H薄膜用于SiCOI异质结的表征。
机译:SiCOI衬底上AlGaN / GaN HEMT的生长和表征
机译:Sicoi结构。技术与表征
机译:研究大分子结构的基于NMR的新型技术。
机译:蛋白质三维结构中各种残基簇的表征。
机译:Si1-XCX的表征:PECVD用于SiCOI异质杂交制造的H薄膜
机译:粘结结构中疲劳裂纹扩展的表征。第二卷。裂纹结合结构分析。