Institute of Semiconductor Physics NAS, Kyiv, Ukraine;
机译:通过各向异性扩散和硅化物升华在硅基板上进行形状/尺寸受控的微/纳米级三角形,正方形,线状和六角形凹坑的制造
机译:金属诱导的硅线状晶体生长的金属诱导结晶机理
机译:硅基底上V型槽的微米光栅中Au纳米颗粒包覆的K_2SO_4微晶的选择性自对准
机译:孤立的基材上的硅点和电线微晶的自组织成长
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:量子点缀合的抗GRP78 scFv抑制小鼠癌症的生长
机译:液相中铝和硅的浓度对沸石A和X的微晶生长动力学的影响
机译:低温辉光放电硅薄膜中N-和p-型微晶的形核和生长