University of Bielefeld, Department of Physics, Nanodevice group, P.O. Box 100 131, 33501 Bielefeld, Germany;
magnetism; thin films; tunnelling; MRAM;
机译:不同堆叠结构的垂直各向异性MgO基磁性隧道结中的隧道磁阻特性和退火稳定性
机译:具有CoFeB极化层的MgO基垂直磁性隧道结堆叠体中磁性的高温退火稳定性
机译:湿法化学清洗对磁性RAM磁性隧道结堆叠体性能的影响
机译:几何形状和材料堆叠对磁隧道结的性能的影响
机译:垂直磁各向异性材料和磁隧道结的切换研究
机译:隧道-磁阻比对纳米级间隔物厚度和双MgO基垂直磁隧穿结材料的依赖性
机译:隧道磁电阻对铁磁电极的依赖性 mgO势垒磁隧道结中的材料