Department of Applied Physics, Technical University, 8 KI. Ohridski Blvd., 1797 Sofia, Bulgaria;
Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, 72 Tzarigradsko Chaussee Blvd., 1784 Sofia, Bulgaria;
silicon oxide; plasma hydrogenation; refractive index; interface defects;
机译:等离子体氢化硅上生长的氧化硅膜的厚度依赖性界面参数
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法生长的富硅氧化硅薄膜中Tb离子的激发机理和热发射猝灭-是否需要硅纳米团簇?
机译:在射频等离子体氢化硅上热生长的SiO2薄膜中的氧化物和界面电荷
机译:等离子体氢化硅种植的氧化硅膜的厚度依赖性接口参数
机译:使用X射线技术研究硅-二氧化硅薄膜和球磨锡锗(硅)粉末的界面
机译:富硅氧化硅薄膜中Er3 +发光的厚度依赖性优化
机译:富硅氧化硅薄膜中Er3 +发光的厚度依赖性优化
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成