Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Toledo 2801 W. Bancroft Street, Toledo, Ohio, 43606, USA;
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Neuromorphic; synapse; transition metal oxide; memristive; low-power; STDP; Non-Volatile Memory;
机译:基于相变材料的纳米电子可编程突触,用于大脑启发式计算
机译:基于金属氧化物电阻随机存取存储器的突触设备,用于脑启发计算
机译:脑激发计算的有机材料和装置:从人工实施到生物物理的现实主义
机译:纳米电子学的未来:新材料,架构和设备
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机译:使用嵌段共聚物光刻技术创建用于纳米电子学的有源器件材料
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