Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA 95616;
Electronics Engineering, University of Incheon, Incheon 406-772, Republic of Korea;
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, CA 95616;
silicon; nanowire; bridge; field effect transistor; gate-all-around;
机译:新型超薄水平管形沟道全栅多晶硅无结场效应晶体管的制备与表征
机译:Al栅极n-金属-氧化物-半导体场效应晶体管的制备与表征,片上氮化硅离子敏感型场效应晶体管
机译:用于垂直栅全能金属氧化物半导体场效应晶体管的20 nm以下Si圆柱纳米柱制造过程中的方差减小
机译:使用硅纳米氧化机阵列制造Ampolar门 - 全场场效应晶体管
机译:固态双极性离子场效应晶体管的制造与表征。
机译:将硅纳米带场效应晶体管实现为用于多离子检测的阵列
机译:用于垂直栅极 - 全邻金属氧化物半导体场效应晶体管的垂直栅极 - 全氧化物半导体场效应晶体管制备期间的方差减少