机译:Taguchi方法优化45 nm PMOS器件的工艺参数变异性
机译:对工艺参数进行统计优化,以减少32 nm PMOS晶体管阈值电压的变化
机译:使用田口设计的实验方法研究熔融沉积建模工艺参数的影响
机译:32nm PMOS晶体管使用TAGUCHI方法建模
机译:实验顺序设计与田口健壮的参数设计相结合,是一种有效的过程改进方法。
机译:Taguchi法和模糊逻辑法在多孔同时钻井工艺参数的优化和建模中的应用
机译:使用TAGUCHI方法优化45nm PMOS设备的过程参数变异性