PMOS晶体管的制造方法及PMOS晶体管

摘要

本发明公开了两种PMOS晶体管的制造方法及利用该方法制造的PMOS晶体管，其中一种方法包括步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧层；在栅氧层上形成栅导电层；通过栅导电层向栅氧层掺杂F离子；刻蚀栅导电层和栅氧层，形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。该PMOS晶体管的制造方法，使得PMOS晶体管的NBTI提高，PMOS晶体管的性能提高。