Corp. IT, NXP Semicond., Eindhoven, Netherlands;
UHF power amplifiers; gallium compounds; power HEMT; wideband amplifiers; 2nd-harmonic input tuning; GaN HEMT power amplifier; base stations; broadband output power performance; broadband power efficiency; compact broadband class-E power amplifier design; drain efficiency; frequency 2 GHz to 2.5 GHz; frequency 2.1 GHz to 2.7 GHz; frequency 2.14 GHz; in-band efficiency performance; output power variation; peak drain-efficiency; voltage 40 V; Base station; RF circuit design; broadband; class-E; gallium nitride (GaN); hi;
机译:1.9 GHz的高效E类GaN HEMT功率放大器
机译:具有80%效率的1 GHz GaN HEMT基类E功率放大器
机译:具有20W Pout和80%PAE的3.5-3.8GHz E类平衡GaN HEMT功率放大器
机译:紧凑的12瓦高效2.1-2.7 GHz Class-E GaN HEMT功率放大器用于基站
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:基于HBT的高效E级功率放大器,适用于2 GHz
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。