Dept. of Phys. Eng., Macquarie Univ., Sydney, NSW, Australia;
amplifiers; avalanche breakdown; field effect transistors; semiconductor device breakdown; semiconductor junctions; FET amplifiers; catastrophic junction- and avalanche-breakdown mechanisms; channel breakdown model; common-source amplifier; electrothermal gate; gate-junction leakage model; impact ionization; junction temperature dynamic calculation; low-power DC measurements; power-added efficiency; Electrothermal effects; Microwave FET power amplifiers;
机译:适用于高效功率放大器设计的自对准栅极GaAs FET的大信号模型
机译:非线性电热GaN HEMT模型在高效功率放大器设计中的应用
机译:高A /金属栅叠层p型金属氧化物硅硅场效应晶体管的阴极电子注入击穿模型和时变介电击穿寿命预测
机译:用于预测FET放大器的电力和效率的电热栅极和频道击穿模型
机译:使用Doherty技术提高氮化镓HFET技术中微微小区基站功率放大器MMIC的效率。
机译:从两点渗透模型对视网膜杆细胞的环状核苷酸门控通道的离子选择性预测。
机译:通过高效功率放大器设计的GaN HFET建模与模型验证