机译:用于高效RF功率放大器设计的可扩展GaN HEMT大信号模型
机译:非线性电热GaN HEMT模型在高效功率放大器设计中的应用
机译:增强GaN HEMT模型:功率放大器设计的网关
机译:大信号FET模型和用于功率放大器设计的新型AlGaN / GaN HFET模型
机译:设计,表征和建模基于氮化镓的HFET,用于毫米波和微波功率放大器应用。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型
机译:在siC衬底上使用alGaN HFET制造5.8 GHz功率放大器,用于无线电力传输