Department of Nuclear Engineering University of California Berkeley California 94720 Materials Sciences Division Lawrence Berkeley National Laboratory Berkeley California 94720;
National Center for Electron Microscopy Lawrence Berkeley National Laboratory California 94720;
Materials Sciences Division Lawrence Berkeley National Laboratory Berkeley California 94720;
Department of Nuclear Engineering University of Tennessee Knoxville Tennessee 37996;
机译:空位对Ga_2(Se_(0.33)Te_(0.67))_ 3结构和性能的影响
机译:YBa_2Cu_3O_7 / SrTiO_3 / La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3和YBa_2Cu_3O_7 / La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3异质结构中自旋极化载流子注入效应的研究
机译:直流溅射热电n型Bi_2(Te_(0.9)Se_(0.1))_ 3薄膜的电子显微镜研究
机译:La_(0.33)Ca_(0.67)MnO_3钙钛矿中电荷有序的透射电镜研究
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:偏振依赖性X射线吸收在边缘结构附近探测的Pr0.67Sr0.33MnO3薄膜中的应变松弛效应
机译:通过可逆的电化学锂反应直接调节纳米结构Bi_(2)Se_(0.3)Te_(2.7)中的电性能
机译:单侧调制掺杂al(0.33)Ga(0.67)as / Gaas / al(0.33)Ga(0.67)作为单量子阱结构的低温电子传输。 (重新公布新的可用性信息)。