Cranfield University, Cranfield, Bedfordshire, MK43 OAL, UK;
Cranfield University, Cranfield, Bedfordshire, MK43 OAL, UK;
Cranfield University, Cranfield, Bedfordshire, MK43 OAL, UK;
deep reactive ion etching; photolithography; microfabrication; design of experiment; platen power; C_4F_8 gas flow; switching times; undercut;
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:Taguchi的实验设计在优化基于溴化学的深硅沟槽蚀刻配方中的应用
机译:基于深度反应离子刻蚀(DRIE)的先进硅刻蚀技术,用于硅损伤以及3D微观和纳米结构
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构
机译:优化用于微加工的硅插件的深反应离子刻蚀的实验设计