EP-USP, University of Sao Paulo. P.O. Box 61548, 5424-970, Sao Paulo, Brazil;
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机译:通过RF-PECVD和ECR-PECVD技术制备的用于光伏应用的碳基薄膜的电学和结构表征
机译:PECVD沉积的mu c-Si:H膜的结构,光学和电学表征
机译:ICP-PECVD沉积的MEMS应用的a-SiN_x:H薄膜的基本性能
机译:纳米结构A-SIN_X的结构和电学特性:H PECVD薄膜
机译:沉积的氧化硅的电,化学和热行为:PECVD,ECR和溅射膜之间的比较。
机译:自组装壳聚糖-AUNPS / SWCNT-COOH纳米PVA膜的表征和电性能
机译:用于摩擦学应用的纳米结构铬 - 锆 - 氮化物薄膜的生长和结构表征