Power electronics and EMC, Department of Electrical Engineering and Information Technology at Chemnitz University of Technology, Reichenhainer Straße 70, 09126, Germany;
机译:高压短路测试中高压压装IGBT模块的鲁棒性评估
机译:坚固耐用的基于650V SOI的高压半桥IGBT栅极驱动器IC,适用于电机驱动应用
机译:在I_C- V_(CE)相空间中研究1200 V IGBT的重复短路操作
机译:高压IGBT的短路坚固性
机译:4H碳化硅高压n沟道DMOS IGBT的设计与制造
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:与硅IGBT相比,SiC MOSFET的电热耐用性得到改善