Department of Optoelectronic Engineering, Huazhong University of Science Technology(HUST), Wuhan 430074, P .R. China;
reactive ion etching; black silicon method; roughness; anisotropy; etching rate; passivation; microlens; RF power; lithography; isotropy;
机译:使用近场扫描光学光刻和硅各向异性湿法刻蚀工艺制备高纵横比的硅纳米结构
机译:通过Al(100)的各向异性阳极刻蚀制造具有高深宽比的有序沟槽结构
机译:用于X射线相位对比度成像光栅制造的高纵横比各向异性硅蚀刻
机译:使用黑色硅方法制造具有大纵横比的各向异性结构,最小的粗糙度
机译:苯并环丁烯聚合物与采用各向异性湿法刻蚀制造的硅微机械结构的集成。
机译:使用使用AuPdPtCu和IR和IR和IR的MACE方法自对准高纵横比硅3D结构的晶圆级集成
机译:黑硅方法IV:以高纵横比在硅中制造三维结构,用于扫描探针显微镜和其他应用