机译:适用于低工作功率/低待机功率应用的HfSiON-CMOSFET技术
机译:浮体单元,完全兼容用于128 Mb SOI DRAM的90 nm CMOS技术节点,并且具有可扩展性
机译:与Dram Node 2x及更高版本兼容的低功耗HKMG CMOS平台
机译:与嵌入式沟槽DRAM和模拟器件兼容的100 nm节点低待机功率CMOS技术的MOSFET设计
机译:用于100nm CMOS的浅沟槽隔离和凸起的源极/漏极的设计,制造和表征。
机译:用于汽车压力和温度复合传感器的信号调理IC中采用180 Nm CMOS技术的低功耗小面积符合AEC-Q100标准的SENT发送器的设计
机译:设计低功耗,小区域AEC-Q100标准的发送器,在180nm CMOS技术中为汽车压力和温度复杂传感器发送信号调节IC中的发射机