机译:使用微通道选择性区域MOVPE通过多步生长在Si上形成双无InGaAs薄层
机译:使用微通道选择性区域金属有机气相外延在Si(111)上无位错InGaAs
机译:使用带隙能量控制选择性MOVPE制造的无插入损耗2 / spl次/ 2 InGaAsP / InP光开关
机译:微通道选择区MOVPE在Si上无位错的InP / InGaAs / InP岛
机译:高性能INP光子集成电路和设备可用空间通信和传感
机译:通过Si纳米尖端晶片上的与图案无关的选择性Ge异质外延实现无位错的Ge纳米晶体。
机译:LP-MOVPE用叔丁基氯化物对半绝缘InP的平面选择性再生长