Temperature measurement; MOSFET; Temperature distribution; Power measurement; Voltage measurement; Three-dimensional displays; Silicon carbide;
机译:BTI诱导的阈值电压在SiC MOSFET中串扰射击电流的影响
机译:商业MOSFET在γ辐照下的灵敏度和阈值电压漂移的研究
机译:剂量率对功率MOSFET总剂量阈值电压漂移的影响
机译:切换操作下功率MOSFET的BTI诱导阈值电压移位的测量
机译:具有改进的直流和开关特性的新型低压功率MOSFET。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:3MEV - 电子束诱导阈值电压偏移和漏极电流降解ZVN3320FTA&amp上的漏极电流降解; ZVP3310FTA商业MOSFET.