FinFETs; Logic gates; Very large scale integration; Temperature measurement; Voltage control; Standards;
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式逻辑兼容的多次可编程的非易失性存储元件,用于高k金属门CMOS技术
机译:使用差分电流感应的14nm FinFET 1.5 Mb嵌入式高K电荷陷阱晶体管一次性可编程存储器
机译:14-NM FinFet 1.5 MB嵌入式高k充电陷阱晶体管一次使用差分电流检测的可编程存储器
机译:将逻辑晶体管转变为适用于14 nm FINFET技术的安全,多次可编程,嵌入式非易失性存储元件
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术