机译:利用纳米级外延横向过生长技术表征在蓝宝石衬底上生长的GaN / InGaN多量子阱
机译:利用外延横向过生长技术在大面积连续氧化膜上制备SOI CMOS
机译:使用原位碳化光致抗蚀剂掩膜在蓝宝石衬底上外延生长GaN
机译:局限外延横向过长(CELO):在大面积Si衬底上可扩展集成CMOS兼容InGaAs绝缘体上MOSFET的新颖概念
机译:在硅上大面积,晶片级外延生长锗以及集成高性能晶体管。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:硅外延横向过生长形成的sOI岛两个独立层中亚微米mOsFET的垂直积分
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。