CMOS integrated circuits; SRAM chips; field effect transistors; nanolithography; nanopatterning; silicon-on-insulator; system-on-chip; 1.3 nm; 20 nm; 32 nm; 45 nm; 6T-SRAM cell; 90 nm; CV-I; N-FET; P-FET; SOC application; SiON; fine patterning; gate dielectric; hybrid SOI-b;
机译:在SOI,SOS和块状基板上以0.1- / spl mu / m CMOS技术实现的4 GHz和13 GHz调谐放大器
机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:采用0.35 / spl mu / m CMOS工艺制造的5 Gbit / s 2:1多路复用器和采用0.5 / spl mu / m CMOS工艺制造的3 Gbit / s 1:2解复用器
机译:采用浸没式光刻技术,具有0.183 / spl mu / m / sup 2 / 6T-SRAM单元的新型20nm混合SOI /体CMOS技术
机译:基于SOI和批量技术的高增益CMOS图像传感器设计与制造。
机译:CMOS-SOI技术中的纳米集成温度和热传感器
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测