机译:亚微米微米ULSI技术的浅硅化物结的特性。硅化诱导的肖特基接触面积的提取
机译:一种新的和改进的无边界接触(BLC)结构,用于亚四分之一微米CMOS器件中的高性能钛硅化物
机译:技术尺度对亚四分之一微米MOSFET漏电流热行为的影响:低温电流测试的角度
机译:使用高温溅射原位硅化的亚四分之一微米硅化钛技术
机译:用于深亚四分之一微米MOSFET的激光辅助硅化钛的制造。
机译:通过磁控溅射技术沉积在锂中子生产靶标上的钛涂层
机译:先进的集成工艺和ESD保护结构,可针对四分之一微米技术优化GOI,HCE和ESD性能