U.S. Army Research Laboratory, Sensors Electron Devices Directorate, AMSRL-SE-EM, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, MD 20783;
GaN; AlGaN; femtosecond; time-resolved photoluminescence; luminescence downconversion; carrier localization; carrier lifetime; compositional fluctuations; radiative lifetime; radiative efficiency; nonradiative recombination; avalanche photodiode; gain;
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