結晶Si 太陽電池モジュールの電圧誘起劣化現象のモデル化

摘要

電圧誘起劣化(PID)現象は大規模太陽光発電所で見られることが多く, 太陽電池モジュールのアルミフレームとセルの間の電位差が大きくなるために大幅な出力低下をもたらす現象である. PID 現象は, 反射防止(ARC)膜の組成や構造を変えることで劣化挙動が大きく変わることはすでに知られている. また, 結晶 Si 太陽電池モジュールのPID 現象はp 型とn 型で異なることが報告されており, p型ではシャント型, n 型では表面再結合型と区別されていた. 本研究では,これらの結晶Si 太陽電池モジュールのPID 現象を統一的にモデル化することを検討した. また,ARC 膜の種類が異なるフロントエミッター型のp 型とn 型の太陽電池モジュールを用いてPID 試験を行い, 劣化現象の起因について明らかにした.