机译:Ge(x)Si(1-x)/ Si应变层异质结构中的调制掺杂:合金层厚度,掺杂挫折和覆层掺杂剂浓度的影响
机译:电子迁移率与重掺杂应变硅中载流子浓度和应变的函数关系模型
机译:掺杂剂浓度对干燥氧化过程中原位磷掺杂外延硅膜的微观结构和菌株状态的影响
机译:应变高百分比(60%)的硼掺杂硅锗合金-应变,掺杂物取代度,载流子浓度,电阻率和微结构开发
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:掺硼金刚石薄膜中电导率和自由载流子的Drude模型分析及其内应力和应变研究
机译:硼掺杂硅电阻,有效质量和电阻率的温度和掺杂剂密度依赖性的理论与实验研究
机译:半导体测量技术:磷和硼掺杂硅的电阻率和掺杂浓度之间的关系