Nanocrystalline FeSi_2; Heterojunction; I-V Characteristics; PLD;
机译:脉冲激光沉积制备的n型纳米FeSi2 / p型Si异质结的界面态密度估计*
机译:包含n型超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合膜和p型硅衬底的异质结二极管的温度相关电流-电压特性和紫外光检测
机译:通过脉冲激光沉积形成的N型Si / B掺杂P型超声金刚石杂金金刚石杂交的C-V-F,G-V-F和Z'-Z'的特性
机译:脉冲激光沉积制造的N型纳米晶体-FESI_2 / P型Si杂交功能的温度依赖性电流 - 电压特性
机译:p型氟化钡铜,氟化钡铜硒,氟化钡铜碲和n型氧化锌铟宽带隙半导体的脉冲激光沉积和薄膜特性。
机译:在p型CdTe薄膜上无催化剂和无模板的n型CdS纳米线的低温原位生长和p-n异质结性能
机译:通过面向目标直流溅射制造的N型β-FESI2 / p型Si杂交型低温下载流量的机制
机译:脉冲激光沉积技术获得的nGaas-nInsb异质结的I-V和C-V特性。