化合物半導体量子構造を用いた高感度赤外線イメージセンサの開発

摘要

赤外線イメージングの応用拡大に向けて、様々な赤外線センサ素子による2次元センサアレイの開発が行われている。従来から活用されるHgCdTe センサは感度面で優れた性能を持つが、製造性に難点があり多画素化などの開発コストが大きな負担となる。我々はHgCdTe センサに代わる高感度赤外線センサとして、複数種の化合物半導体を積層した量子構造における光遷移を狭禁制帯幅のバンド間遷移に見立てた素子構造に着目し、Ⅲ‐Ⅴ族化合物半導体を用いてこの原理に基づく多画素赤外線センサアレイの実現を図ってきた。ここでは、今までの取り組みである量子井戸型・量子ドット型赤外線センサやType-2 超格子センサによる高感度・高機能赤外線イメージセンサの開発について紹介する。