浮遊帯溶融法による結晶育成における赤外線集中加熱条件の効果

摘要

赤外線集中加熱(IR-FZ)法では，ハロゲンランプなどの加熱光源の波長の光を吸収する物質であれば，加熱溶融可能である．坩堝なしに結晶を育成できるため，坩堝材の混入を懸念する必要がない．更に，溶融帯中の融液組成を原料棒や育成結晶とは異なる適切な組成にすることで偏析制御が必要な分解溶融化合物単結晶も育成できるため，様々な物質の単結晶が育成されている[1]．