電位検出型溶存酸素センサのSnO_2 製検出膜のアニール温度依存性

摘要

生物に必要不可欠な元素として酸素がある．生きた細胞は酸素を使用してエネルギーを生成するため，細胞の微小領域の酸素濃度を測定することで，細胞活動の新たな解明へと繋がると考えられる．通常溶液中の溶存酸素(DO) は酸化還元電流を測定する手法が用いられてきたが，小型化には不向きであった．一方SnO_2 薄膜をゲート電極上に形成したFET 型のガスセンサが開発されている．これまで我々の研究グループでは，このSnO_2 をISFET のゲート上に堆積したデバイス（SnO_2FET 型センサと呼ぶ）を作製し，溶液中の溶存酸素(DO) 濃度を測定することに成功している。本研究ではSnO_2の堆積後に行う酸素アニール温度を変更して，FET 型溶存酸素センサの応答感度の向上を目指した．