InGaAs単接合太陽電池の高効率化とELによる外部発光効率評価

摘要

InPに格子整合するIn_(0.49)Ga_(0.51)Asは、多接合太陽電池のボトムセルとして用いられるため、その高効率化は重要な課題である。セルの開放電圧(V_(OC))とエレクトロルミネッセンス(EL)の強度から導出される外部発光効率(η_(ext))の間には、式(1)で表される相関関係が知られている[1]。V_(OC)=V_(OC)~(rad)+(kT/q) ln(η_(ext)(J_(SC))) (1) すなわち、η_(ext)を求めることで、非発光性再結合に起因するV_(OC)の劣化に相当する、ΔV_(OC)=V_(OC)~(rad)-V_(OC) を得ることができる。本研究では、高効率なInGaAs単接合太陽電池を作製し、非発光性再結合の抑制によるV_(OC)の向上を、EL測定によって定量的に評価することを目的とした。