MTS/H2 を原料としたSiC-CVD プロセスにおける SiCl4 添加効果の検討

摘要

次世代ジェットエンジンなどの航空宇宙用耐熱材 料として、軽量、高耐熱、高強度なSiCf/SiC セラミ ックス基複合材料(CMC)が期待されている[1]。 SiCf/SiC CMC はSiC 繊維とSiC 母相からなり、繊 維を紡績し３次元織物を形成した後、繊維間の空隙 に母相を埋め込むことにより形成される[2]。繊維間 空隙は微細かつ高アスペクト比な３次元構造である ため、母相の埋め込みには段差被覆性に優れた化学 気相含浸（CVI）法が一般に使用される。我々は以前、 高MTS 濃度条件下で現れる擬0 次反応を用いるこ とにより、高アスペクト比構造内および炉内で均一 に製膜できることを明らかにした[3]。しかし、原料 利用効率が低く、多量の未反応MTS が反応副生成物 と共に排出される弊害が生じる。そのため、排出ガス から原料を回収しリサイクルするプロセスと組み合 わせて運用することが望ましい。