犠牲層を用いないSU-8構造体の剥離方法の提案

摘要

エポキシベースのネガ型フォトレジストであるSU-8は優れた機械的物性と化学的安定性のために多様な分野で関心を集めている[1].しかし，架橋されたSU-8，例えば，フィルム，メンブレイン，大面積デバイスを基板から剥離させるニーズは高いものの，これらを剥離させることは容易ではない.今までに，SU-8の剥離方法として，ウェットプロセスとドライプロセスの2つの技術が採用されている(図1).ウェットプロセス(図 1a)として，犠牲層を化学薬品により除去するウェツトエッチングが代表的である.犠牲層を除去する薬品によりSU-8，または，SU-8上のマイクロデバイスなどに損傷を，える問題点がある.一方，ドライプロセス(図 1b)としては，柔らかい基板上に形成したSU-8を物理的に剥がす方法で主である.SU-8と基板との接着力が強く剥がす時に破損されるなどの問題がある.このような問題点を解決するために新しい剥離方法を提案する.