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マルチフィジクスシミュレーションを用いた集積化CMOS-MEMS技術のためのセンサ回路の検討

机译:使用多物理仿真检查集成CMOS-MEMS技术的传感器电路

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摘要

近年、MEMS(Microelectromechanical systems)技術を用いた加速度センサ、ジャイロ等の各種センサの研究開発が盛hに行われており、携帯電話、ゲーム機、自動車等の我々の身近な機器に搭載されている。これらのセンサについて、さらなる小型化、高機能化が課題となっている。こうした課題を解決する方法として、センサ回路とMEMS デバイスとを融合した、集積化 CMOS (Complementary metal oxide semiconductor)-MEMS技術が期待されている。集積化CMOS-MEMSのためのセンサ回路を検討する際、MEMSとCMOS LSI(Large-scale integrated circuits)の挙動を同時に解析することが重要である。我々はこれまで、一般的な回路設計ツールを用いてMEMSとLSIのマルチフィジクスシミュレーションが可能な統合設計手法について報告を行っている。今回、上記統合設計手法を用い、従来手法とは異なる容量変化型MEMS センサ用のセンサ回路を提案した。また、提案回路を0.35 μm CMOSプロセスを用いて試作し、試作したセンサ回路上にMEMS加速度センサを作製した。さらに、試作した集積化CMOS-MEMS加速度センサに対して加速度を印加し、センサ回路出力を測定したので報告する。
机译:近年来,MEMS(微机电系统)加速度传感器使用的技术,研究和各种传感器的开发,例如已在盛小时,手机,游戏机进行陀螺仪,安装在我们熟悉的设备,如汽车。这些传感器,进一步小型化和高功能化已经成为一个问题。作为一种方法来解决这些问题,一个传感器电路和稠合的MEMS器件,集成CMOS(互补金属氧化物半导体)-MEMS技术有望。当考虑集成CMOS-MEM的传感器电路时,重要的是同时分析MEMS和CMOS LSI(大规模集成电路)的行为。到目前为止,我们已经完成了关于综合设计方法的报告,可以使用通用电路设计工具是MEMS和LSI的多体态模拟。此时,使用集成的设计方法提出了不同容量的变化型MEMS传感器是常规方法传感器电路。此外,使用0.35μmCMOS工艺制造的所提出的电路,以在传感器电路原型上产生MEMS加速度传感器。此外,加速度适用于集成的CMOS-MEMS加速度传感器原型,技术报告是测量传感器电路输出的。

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