電圧トルク磁化反転の書き込みェラ一率低減に向けた取り組み

摘要

「電圧トルク」により磁化反転を行う駆動型磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM)」は不揮発で尚且つ数fJ/bitでの書き込みが可能な超低消費電力メモリとして期待されている。本研究では、電圧駆動型MRAM実現に向けて重要な課題である書き込みエラー率低減に焦点を当て、材料·素子設計および駆動方法を工夫することによって素子性能を改善する手法を探索した。