電子線照射絶縁材料内に残存する電子正孔対の減衰特性の観測

摘要

本研究では、電子線照射したフッ素系絶縁材料である ETFE (ethylene- tetrafluoroethylene)の直流高電界下における 空間電荷蓄積特性をPEA 法により評価している。 これまでの研究で、電子線照射試料内には電子正孔対が 生成され、電子線照射直後にこの試料に直流電圧を印加す ると、残存している電子正孔対が分極し、平均電界以上の 電界が生じていることを明らかにしてきた。この残存する 電子正孔対は照射後、時間が経過するとともに減衰すると 考えられるため、本研究では、電子線照射により生成され た電子正孔対の減衰特性について検討した。