電子線照射絶縁材料内に残存する電子正孔対の減衰特性の観測

摘要

本研究では、電子線照射したフッ素系絶縁材料であるETFE (ethylene- tetrafluoroethylene)の直流高電界下における空間電荷蓄積特性をPEA 法により評価している。これまでの研究で、電子線照射試料内には電子正孔対が生成され、電子線照射直後にこの試料に直流電圧を印加すると、残存している電子正孔対が分極し、平均電界以上の電界が生じていることを明らかにしてきた。この残存する電子正孔対は照射後、時間が経過するとともに減衰すると考えられるため、本研究では、電子線照射により生成された電子正孔対の減衰特性について検討した。