フッ素原子を含むイオンによるエッチング反応

摘要

多くのフッ素化合物は揮発性が高いことから、フッ素含むイオンおよびラジカルによるエッチング反応が様々な材料の微細加工において利用されている。近年、3DNAND などの高アスペクト比加工において、ラジカルに比べてパターン底へ効率的に輸送されるイオンによる高効率なエッチングプロセスが求められている。我々は、質量分離イオンビーム装置を用いて、フッ素原子を含むイオン種（CF~+, CF_2~+, CF_3~+, C_2F_5~+, SF_5~+ およびNF_2~+)によるシリコン, 窒化膜および酸化膜に対するエッチング特性を評価している。