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静電加速器での ~(16)O(α,α)~(16)Oによる薄膜試料酸素の高精度絶対定量

机译:通过静电加速器通过(16)O(α,α)至(16)o通过(16)o(16)o通过静电促进剂来高精度绝对测定薄膜样品氧

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摘要

薄膜技術は現代の半導体デバイスで必要不可欠な技術であり、近年では様々な元素を組み合わせて作製するものがほとhどであるため、元素の種類や組成の情報は重要である。しかし、薄膜はバルク体と比較して絶対量が小さくなるため、組成分析法が限られてしまう。そこで薄膜試料の組成分析法として、XPSやEDSなどの特性X線を利用するものがあるが、検出されるエネルギーが重なる元素の組み合わせが存在し、その中でも薄膜作製では重要となるOのスペクトルがCrやVのスペクトルと重なってしまう。本研究室でも硬質薄膜研究や物性研究では酸素による影響を無視することはできない。そこで、特性 X 線を利用しないラザフォード後方散乱分光法(RBS)を採用した。RBS では、Heイオンを試料に高エネルギーで弾性散乱させ、エネルギーの違いにより組成や膜厚を分析する方法である。この方法は、標準試料を必要としない絶対定量分析が可能であり、金属元素と非金属元素の比を正確に求めることが可能である。また、非破壊分析や深さ方向での組成分析が可能であることもRBS法の特徴である。しかし、通常のRBS法でもOの検出感度は高くはない。そこで、Oの検出感度が 10 倍以上向上すると言われている~(16)O(α,α)~(16)Oの核反応によるRBS法を適用した。この方法は、入射イオンの 4~Heが試料中のOとの核共鳴現象によってOの感度を向上させ、分析する方法であり、本研究では O 共鳴が発生しているO ピークからある定数(酸素共鳴倍率 ROと定義)を除算することで真のO含有量を算出する方法を採用し、この方法を適用するためにROを算出した。
机译:薄膜技术是现代半导体器件的基本技术,近年来,有关元素和组成的元素和组成的信息很重要,因为它们是通过组合各种元件而制造的。然而,由于与散装体相比,绝对量降低,因此组成分析方法有限。因此,作为薄膜样品的组成分析方法,存在特征X射线的组合,例如XPS和EDS,但是有一个元素的组合,其中重叠检测到的能量,以及还有一个频谱在薄膜制备中是重要的。它与Cr和V的光谱重叠。在该实验室中,硬薄膜研究和物理性质研究不能忽视氧气效果。因此,采用了不利用特征X射线的Rutherford反向散射光谱(RBS)。在RBS中,他离子以高能量散射到样品,并由于能量差异而分析组成和膜厚度。该方法可以分析不需要标准样品的绝对定量分析,并且可以精确地确定金属元素与非金属元件的比率。而且,它还可以是非破坏性分析和深度方向中的成分分析的RBS方法的特征。但是,即使在正常的RBS方法中,O的检测灵敏度也不高。因此,据说O的检测灵敏度超过10次以通过O(α,α) - (16)O.的核反应改善RBS方法。该方法是通过在样品中通过4与In In In In Infisider离子的核共振现象提高O的敏感性的方法,并且在该研究中,来自谐振发生的O峰的常数(通过划分氧气共振倍率RO),采用了一种计算真正含量的方法,并计算RO以应用该方法。

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