時間分解解析を用いたレーザー照射によるレジスト剥離現象の解明Ⅱ

摘要

半導体リソグラフィ工程におけるレジスト除去には従来から化学薬品や酸化プラズマアッシングが使われてきた。しかしながら、これらの除去方法にはいくつか問題点がある。化学薬品を用いた除去方法は薬品を大量に消費するので環境負荷が高い。酸化プラズマアッシングを用いた除去方法は 250°Cを超える高温度が要求される。そこで我々はレーザーを用いた剥離技術に取り組hでいる。これまでの研究では、DNQ-ノボラックレジストに波長 532nm のレーザーを照射することでレジスト剥離に成功している。さらに、水中でレーザー光をレジストに照射する方が大気中に比べてより剥離しやすいことも分かった。これまでに有限要素解析と反射光強度変化測定によって大気、水中での違いが見出された。本研究では、レジスト剥離過程を詳細に観察するために時間分解高速イメージングシステムの構築を行い明らかにした。