量子効果の影響を考慮したGaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FETの検討

摘要

量子効果を考慮したシミュレーションによりダブルゲートヘテロTFETの検討を行った。組成比により実効的なバンドギャップを調整することで DD=0.5Vでのオン電流とゲート容量によって ITRS の 2028 年の真性遅延を達成できる可能性を見出した。