enhancement; excitonic emission; barriers;
机译:CdSe / ZnSe-I型和ZnSe / CdSe-I型反转核/壳纳米晶体的激子精细结构分裂的原子紧密结合计算
机译:非均匀的激子电荷分布增强了ZnSe / Cdse合金量子点中的Exciton-Phonon耦合
机译:具有隔离的ZnCdSe岛的低维CdSe / ZnSe结构的激子态和能量弛豫
机译:用HECD激光激发时,在〜90 k时CDSE / ZnSe量子Quantumwells的激发器排放的特殊性
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:多孔GaN中增强的激子发射效率
机译:具有双层芯和磁掺杂壳的CDSE / CDMNS纳米孔表现出可切换激发器圆极化:激光和发光二极管的影响
机译:计算可见II-VIZnCdse / Znse量子阱二极管激光器的室温阈值电流密度。 (重新公布新的可用性信息)