還元的錯形成による三置換インデニルロジウム(III)錯体の合成とC-H 官能基化反応への応用

摘要

近年、C-H 官能基化反応に対する触媒活性や選択性の向上を目的として、官能基化Cp ロジウム(III)錯体が開発されている。当研究室では、官能基化フルベンと塩化ロジウムとのエタノール中での還元的錯形成により官能基化Cp ロジウム(III)錯体を合成できることを報告した1-2)。